دانلود ترانزیستور

ترانزیستور این تحقیق با فرمت ورد ، قابل ویرایش ، که در 14 صفحه تهیه شده است در ترانزیستور پیوندی هم الکترون‌ها و هم حفره‌ها در ایجاد جریان دخالت دارند بدین لحاظ این نوع ترانزیستور را پیوندی دو قطبی BJT (Bipolar Junction Transistor) می‌نامند

دسته بندی	برق
فرمت فایل	doc
حجم فایل	2640 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل	14

ترانزیستور

12.‌‌1 مقدمه

در فصل گذشته با ساختمان اتمی کریستال‌های نیمه هادی و اتصال PN آشنا شدیم. در این فصل به مطالعه یکی دیگر از قطعات مهم اکترونیکی یعنی ترانزیستور می‌پردازیم. در ترانزیستور پیوندی هم الکترون‌ها و هم حفره‌ها در ایجاد جریان دخالت دارند. بدین لحاظ این نوع ترانزیستور را پیوندی دو قطبی BJT (Bipolar Junction Transistor) می‌نامند. در بخش اول این فصل به بررسی ساختمان ترانزیستور می‌پردازیم و بخش‌های بعدی را به عملکرد ترانزیستور در مدارات تقویت کننده اختصاص خواهیم داد.

12.‌‌‌2 ساختمان ترانزیستور

یک ترانزیستور پیوندی از سه کریستال نیمه هادی نوع N و P که در کنار هم قرار می‌گیرند، تشکیل شده است. با توجه به نحوه قرار گرفتن نیمه‌هادی‌ها در کنار هم ترانزیستور به دو صورت NPN و PNP خواهند بود. در شکب 12.‌‌1 ترانزیستورهای PNP و NPN بطور شماتیک نشان داده شده است. در مدارات الکترونیکی ترانزیستورهای NPN و PNP را با علامت اختصاری شکل 12.‌‌2 نمایش می‌دهد. پایه‌های خروجی ترانزیستور به ترتیب امیتر (منتشر کننده)، بیس (پایه) و کلکتور (جمع کننده) نام دارد. امیتر (Emiter) را با حرف E، بیس (Base) را با حرف B و کلکتور (Collector) را با حرف C نشان می‌دهند.

شکل 12.‌1 نمایش شماتیک ساختمان ترانزیستور

12.‌3 تغذیه (بایاسینگ) ترانزیستور

برای اینکه بتوان از ترانزیستور به عنوان تقویت کننده استفاده نمود، ابتدا باید ترانزیستور را از نظر ولتاژ dc تغذیه نمود. عمل تغذیه ولتاژ پایه‌های ترانزیستور را بایاسینگ می‌نامند. برای درک این مطالب ترانزیستور بایاس شده شکل 12.‌3 را مورد مطالعه قرار می‌دهیم. این نحوه بایاتس ترانزیستور را اصطلاحاً بایاس در ناحیه فعال می‌نامند. در اکثر تقویت کننده‌های خطی ترانزیستور در ناحیه فعال بایاس می‌شود. در ناحیه فعال اتصال بیس ـ‌ امیتر به صورت مستقیم و اتصال کلکتور ـ بیس به صورت معکوس بایاس می‌گردد. برای اینکه بتوانیم از ترانزیستور به عنوان تقویت کننده سیگنال‌های الکتریکی و یا .... استفاده کنیم، باید ترانزیستور را با ولتاژ dc تغذیه نمود. در هرحالت، ولتاژهایی که به قسمت‌های مختلف ترانزیستور باید اعمال شود، فرق می‌کند. ولتاژی که بین پایه‌های بیس و امیتر قرار می‌گیرد، با VBE نشان می‌دهند و مقدار آن برابر 7/0 ولت می‌باشد. ولتاژی که در قسمت کلکتور ـ‌ بیس قرار می‌گیرد با VCB، ولتاژی که بین کلکتور ـ امیتر وصل می‌شود با VCE نشان می‌دهیم. شکل 12.‌4 ولتاژهای قسمت‌های مختلف ترانزیستور را نشان می‌دهد.

word: نوع فایل

سایز:2.57 MB 

 تعداد صفحه:14

دانلود ترانزیستور اثر میدانی

ترانزیستور اثر میدانی این تحقیق با فرمت ورد ، قابل ویرایش ، که در 85 صفحه تهیه شده استترانزیستور اثر میدانی (یا به اختصار FET) قطعه‌ای سه پایانه است که در موارد بسیاری بکار می‌رود و در مقیاس وسیعی با ترانزیستور BJT رقابت می‌کند

دسته بندی	برق
فرمت فایل	doc
حجم فایل	1359 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل	85

ترانزیستور اثر میدانی 

فصل اول

مشخصات JFET

1ـ1 مقدمه

ترانزیستور اثر میدانی (یا به اختصار FET) قطعه‌ای سه پایانه است که در موارد بسیاری بکار می‌رود و در مقیاس وسیعی با ترانزیستور BJT رقابت می‌کند. اگرچه اختلافات مهمی بین این دو نوع قطعه وجود دارد اما تشابه بسیاری نیز بین آنها وجود دارد که در بخشهای بعد به آن اشاره خواهد شد. 

اختلاف نخست بین او دو نوع ترانزیستور در آن است که ترانزیستور BJT همانگونه که در شکل (الف 1ـ1) نشان داده شد یک قطعه کنترل جریان است، در حالیکه ترانزیستور JFET همانگونه که در شکل (ب 1ـ1) دیده می‌شود یک قطعه کنترل ولتاژ است. به بیان دیگر، جریان IC در شکل (الف 1ـ1) تابع مستقیم مقدار IB است. در FET جریان I تابعی از ولتاژ VGS است که مطابق شکل (ب 1ـ1) به ورودی مدار اعمال می‌شود. در هر حالت جریان مدار خروجی با یک پارامتر ورودی کنترل می‌شود. در یک حالت بوسیله جریان و در دیگری بوسیله ولتاژ اعمال شده. 

شکل (1ـ1) (الف) تقویت کننده کنترل جریان (ب) تقویت کننده کنترل ولتاژ

درست مانند ترانزیستورهای npn و pnp قطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی نیز از دو نوع کانال n و کانال p هستند. از اینرو، مهم است به خاطر داشته باشید که ترانزیستور BJT یک قطعه دو قطبی (bipolar) است. یعنی میزان هدایت در آن تابع دو نوع حامل است: الکترونها و حفره‌ها. FET قطعه‌ای تک‌قطبی است که فقط به هدایت اکلترون در (کانال n) و یا حفره (کانال p) وابسته است. 

عبارت «اثر میدانی در نام این ترانزیستور با خود توضیحاتی را بهمراه دارد. ما همه با توانایی یک مغناطیس دائمی آشنا هستیم که براده‌های فلزی را بدون تماس واقعی به سوی خود می‌کشد. میدان مغناطیسی یک مغناطیس دائمی براده‌های آهن را در امتداد خطوط شار مغناطیسی جذب می‌کند. در FET، بوسیله بارهای آن میدان الکتریکی بوجود می‌آید که مسیر هدایت جریان خروجی را کنترل می‌کند بدون تماس مستقیم بین کنترل کننده و کمیتهای کنترل شونده. 

این تمایل طبیعی است که دومین قطعه را با تعدادی از کاربردهای مشابه قطعه اول معرفی کرده و برخی مشخصه‌های آن را با هم مقایسه کنیم. یکی از مهمترین شاخصه‌ای FET، امپدانس ورودی زیاد آن است. مقاومت ورودی آن در اندازه‌های 1 تا چند صد مگااهم از مقاومت ورودی ترانزیستور BJT بیشتر می‌شود. و این شاخصه‌ای است که در طراحی سیستمهای تقویت ac خطی بسیار مهم است. به به عبارت دیگر، با ولتاژ اعمال شده یکسان تغییر در جریان خروجی معمولاً برای BJT بیشتر از FETها است. به همین دلیل، معمولاً بهره ولتاژ ac تقویت کننده‌های BJT خیلی بیشتر از FETهاست. بطور کلی، FETها در مقابل حرارت با ثبات‌تر از BJTها هستند. FETها معمولاً از نظر ساختمان از BJTها کوچکترند و این امر بطور ویژه کاربردشان را در تراشه‌های مدار مجتمع (آی‌سی) کارآمد می‌سازد. مشخصه‌های ساختمان برخی FETها در بکارگیری آنها بسیار موثر است. 

دو نوع FET در این فصل معرفی می‌شود: ترانزیستور اثر میدانی پیوندی (JFET) و ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلز (MOS-FET)، دسته MOSFET خود به دو نوع تهی و افزایشی تقسیم می‌شوند که هر دو نوع آن شرح داده می‌شوند. ترانزیستور MOSFET یکی از مهمترین قطعات مورد استفاده در طراحی و ساخت مدارهای مجتمع کامپیوترهاست. ثبات حرارتی، و دیگر مشخصه‌های اصلی آنها، کاربردشان را در طراحی مدارهای کامپیوتری متداول ساخته است. 

2ـ1ـ ساختمان و مشخصه‌های JFETها

همانگونه که پیش از این نشان داده شد، JFET یک قطعه سه پایانه است که یک پایانه آن قادر است جریان بین دو پایانه دیگر را کنترل کند. در ترانزیستور JFET، قطعة با کانال n به مثابه قطعه اصلی و مهم به تفصیل شرح داده خواهد شد ولی بخش‌هایی برای توضیح JFET کانال p نیز اختصاص خواهد داشت. 

ساختمان اصلی JFET کانال n در شکل (2ـ1) نشان داده شده است. توجه کنید که قسمت اصلی ساختمان JFET را ماده کانال n تشکیل می‌دهد که لایه‌های ماده نوع P در طرفین آن جای داده شده است. قسمت فوقانی کانال n بوسیله یک اتصال اهمی به پایانه‌ای به نام درین (D) متصل است. دو ماده نوع p به یکدیگر و به پایانه‌ای موسوم به گیت (G) وصل است. بنابراین، اساساً درین و سورس به دو انتهای کانال نوع n و گیت به دو لایه نوع p وصل می‌شود. در نبودن یک پتانسیل و تغذیه نشدن، JFET دارای دو پیوند p-n است. در نتیجه یک ناحیه تهی مطابق شکل (2ـ1) در هر پیوند بوجود می‌آید که به ناحیه مشابه آن در دیود بدون ولتاژ شباهت دارد. به یاد داشته باشید که ناحیه تهی، ناحیه‌ای است خالی از حاملهای آزاد و بنابراین ناتوان از هدایت در این ناحیه. 

مثالهای مکانیکی بندرت درست هستند و اغلب گمراه کننده‌اند، اما در شکل (3ـ1) نحوه کنترل گیت FET را و علت نامگذاری پایانه‌های این قطعه نشان داده شده است. فشار منبع آب به ولتاژ اعمال شده از درین به سورس تشبیه شده است که جریان آب (الکترونها) را از طریق توپی (سورس) ایجاد می‌کند. گیت از طریق سیگنال اعمال شده (پتانسیل)، جریان آب (بار) را به «درین» کنترل می‌کند. مطابق شکل (2ـ1) پایانه‌های درین و سورس در دو انتهای کانال n قرار گرفته‌اند. 

word: نوع فایل

سایز: 1.32 MB 

 تعداد صفحه:85

دانلود ساختمان ترانسفورماتور

ساختمان ترانسفورماتور این تحقیق با فرمت ورد ، قابل ویرایش ، که در 13 صفحه تهیه شده استترانسفورماتورها را با توجه به کاربرد و خصوصیات آنها، می توان به سه دسته کوچک متوسط و بزرگ دسته بندی کرد

دسته بندی	برق
فرمت فایل	doc
حجم فایل	124 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل	13

ساختمان ترانسفورماتور

ترانسفورماتورها را با توجه به کاربرد و خصوصیات آنها، می توان به سه دسته کوچک متوسط و بزرگ دسته بندی کرد. ساختن ترانسفورماتورهای بزرگ و متوسط به دلیل مسایل حفاظتی و عایق بندی و امکانات موجود ، کار ساده ای نیست ولی ترانسفورماتورهای کوچک را می توان بررسی و یا ساخت. برای ساختن ترانسفورماتورهای کوچک ، اجزای آن مانند ورقه آهن ، سیم و قرقره را به سادگی می توان تهیه نمود. 

 اجزای تشکیل دهنده یک ترانسفورماتور به شرح زیر است؛

هسته ترانسفورماتور:

   هسته ترانسفورماتور متشکل از ورقه های نازک است که سطح آنها با توجه به قدرت ترانسفورماتور ها محاسبه می شود. برای کم کردن تلفات آهنی هسته ترانسفورماتور را نمی توان به طور یکپارچه ساخت. بلکه معمولا آنها را از ورقه های نازک فلزی که نسبت به یکدیگر عایق‌اند، می سازند. این ورقه ها از آهن بدون پسماند با آلیاژی از سیلیسیم (حداکثر 4.5 درصد) که دارای قابلیت هدایت الکتریکی کم و قابلیت هدایت مغناطیسی زیاد است ساخته می شوند. در اثر زیاد شدن مقدار سیلیسیم ، ورقه‌های دینام شکننده می شود. برای عایق کردن ورقهای ترانسفورماتور ، قبلا از یک کاغذ نازک مخصوص که در یک سمت این ورقه چسبانده می شود، استفاده می کردند اما امروزه بدین منظور در هنگام ساختن و نورد این ورقه ها یک لایه نازک اکسید فسفات یا سیلیکات به ضخامت 2 تا 20 میکرون به عنوان عایق در روی آنها می مالند و با آنها روی ورقه ها را می پوشانند. علاوه بر این ، از لاک مخصوص نیز برای عایق کردن یک طرف ورقه ها استفاده می شود ورقه های ترانسفورماتور دارای یک لایه عایق هستند. بنابراین ، در مواقع محاسبه سطح مقطع هسته باید سطح آهن خالص را منظور کرد. ورقه‌های ترانسفورماتورها را به ضخامت های 0.35 و  0.5 میلیمتر و در اندازه های استاندارد می سازند. باید دقت کرد که سطح عایق شده ى ورقه های ترانسفورماتور همگی در یک جهت باشند (مثلا همه به طرف بالا) علاوه بر این تا حد امکان نباید در داخل قرقره فضای خالی باقی بماند. لازم به ذکر است ورقه ها با فشار داخل قرقره جای بگیرند تا از ارتعاش و صدا کردن آنها نیز جلوگیری شود. 

word: نوع فایل

سایز:124 KB 

تعداد صفحه:13

دانلود مشخصات ترانسفورماتور

مشخصات ترانسفورماتور این تحقیق با فرمت ورد ، قابل ویرایش ، که در 22 صفحه تهیه شده استهسته ترانسفورماتور از ورق الکتریکی به ضخامت 30 میلیمتر که در عرض‌های مختلف بریده شده، تشکیل می‌شود که در نهایت پس از چیدن، دارای سطح تقریباً دایره‌ای شکل می‌گردد

دسته بندی	برق
فرمت فایل	doc
حجم فایل	799 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل	22

مشخصات ترانسفورماتور

هسته 

هسته ترانسفورماتور از ورق الکتریکی به ضخامت 3/0 میلیمتر که در عرض‌های مختلف بریده شده، تشکیل می‌شود که در نهایت پس از چیدن، دارای سطح تقریباً دایره‌ای شکل می‌گردد. به منظور کاهش تلفات آهن، محل اتصال ورق‌ها به یکدیگر دارای زاویه 45 درجه می‌باشد و اتصال به صورت فاق و زبانه انجام می‌گیرد.

شکل 1: هسته

سیم‌پیچ‌ها

کلیه ترانسفورماتورهای توزیع دارای دو سیم‌پیچ (فشار ضعیف و فشار قوی) می‌باشند که در  ابعاد مختلف به شرح زیر پیچیده می‌شوند:

سیم‌پیچ‌های فشار ضعیف از سیم تخت با عایق کاغذی به صورت سیم‌پیچ استوانه‌ای تولید می‌گردند. 

سیم‌پیچ‌های فشار قوی از سیم گرد و یا تخت به صورت‌های ذیل تولید می‌گردند:

• تا قدرت 250 کیلوولت آمپر از سیم گرد  با عایق لاکی به صورت سیم‌پیچ لایه‌ای؛

• از قدرت 315 تا 1000 کیلوولت آمپر از سیم گرد با عایق کاغذی و یا عایق لاکی بصورت کلافی و مرکب از قرارگیری کلاف‌های متعدد بر روی هم؛

• از قدرت 1250 کیلوولت آمپر به بالا به صورت فوق و همچنین از سیم تخت با عایق کاغذی بصورت بشقابی مرکب از قرارگیری بشقاب‌های متعدد بر روی هم؛

همچنین جهت هدایت دمای حاصله (ناشی از تلفات مس) به خارج جلوگیری از تمرکز و ازدیاد دما در داخل سیم‌پیچ‌ها بر حسب مدل، کانال‌هایی موازی با محور یا عمود بر محور پیش‌بینی می‌شود.

شکل 2: بوبین (سیم‌پیچ‌ها)

مواد عایقی

عایق‌بندی ترانسفورماتور توسط مرغوب‌ترین مواد عایق مانند: کاغذ عایق، مقوای عایق و فیبر عایق صورت می‌گیرد. رطوبت هوای محیط که به مرور در مواد عایقی راه می‌یابد، توسط کوره‌های خشک کننده تحت خلاء، جدا می‌گرد، بطوری که مواد عایقی موجود ترانسفورماتور کاملاً خشک و عاری از رطوبت می‌باشند.

انشعابات سیم‌پیچ و قابلیت تنظیم ولتاژ

تغییراتی جزئی ولتاژ شبکه را می‌توان با تغییر نقاط اتصال سیم‌پیچ فشار قوی برطرف نمود، به نحوی که ولتاژ مورد نیاز مصرف کننده ثابت بماند. 

تغییر دادن نقاط اتصال و استفاده از انشعابات سیم‌پیچ فشار قوی در حالت «بدون بار» توسط کلید تنظیم ولتاژ صورت می‌گیرد.

word: نوع فایل

سایز:799 KB 

 تعداد صفحه:22

دانلود ترانسفورماتور های جریان

ترانسفورماتور های جریان این تحقیق با فرمت ورد ، قابل ویرایش ، که در 35 صفحه تهیه شده استدر پستهای فشارقوی به منظور اندازه گیری مقدار جریان و یا حفاظت تجهیزات توسط رله های حفاظتی الکتریکی ازترانسفورماتورهای جریان استفاده می شود که دارای دو وظیفه اصلی می باشند

دسته بندی	برق
فرمت فایل	doc
حجم فایل	22 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل	35

 ترانسفورماتور های جریان Current  transformer 

در پستهای فشارقوی به منظور اندازه گیری مقدار جریان و یا حفاظت تجهیزات توسط رله های حفاظتی الکتریکی ازترانسفورماتورهای جریان استفاده می شود که دارای دو وظیفه اصلی می باشند :

1ـ پایین آوردن مقدار جریان فشار قوی بطوری که قابل استفاده برای اندازه گیری از قبیل آمپر متر و مگا واتمتر و کنتورهای اکتیو و راکتیو و همچنین رله های حفاظتی جریانی باشد .

2 ایزوله کردن و جدا کردن دستگاههای اندازه گیری و حفاظتی از ولتاژ فشار قوی در اولیه . بطور کلی ترانسفورماتور های جریان اولیه آنها در مسیر جریان مورد حفاظت و یا اندازه گیری قرار گرفته و در ثانویه آن ، با نسبتی معین جریانی متفاوت داریم مثلاً ترانس جریان با نسبت 200/1 یعنی ترانسی که بازای 200  آمپر در طرف اولیه 1 آمپر در طرف ثانویه ( به شرط برقراری مدار ) ایجاد می کند .

طبعاً هر قدر جریان اولیه تغییر کند جریان در طرف ثانویه نیز به همان نسبت تغییر می کند . ولی به خاطر محدودیت هسته ترانس جریان برای عبور خطوط قوای مغناطیسی این قاعده تا حد معینی از افزایش جریان ارتباط دارد . به خاطر حفاظت وسایل اندازه گیری در برابر ضربه های ناشی از اضافه جریان معمولاً ازترانس جریان نهایی استفاده می شود که هسته آنها خیلی زود اشباع می شود . برعکس برای اینکه سیستمهای حفاظتی دقیقتر عمل کنند به ترانس جریانهای احتیاج داریم که هر چه دیرتر اشباع بشوند مثلاً ده ، پانزده یا بیست برابر جریان نامی . طرز کار ترانس جریان نیز بدین صورت است که جریان مدار از اولیه آن عبور کرده و باعث ایجادخطوط قوای مغناطیسی می شود این خطوط قوا به نوبه خود درثانویه ایجاد جریان می کند . جریان موجود در سیم پیچ ثانویه خطوط قوای دیگری را در هسته بوجود می آورد که جهت آن مخالف جهت خطوط قوای اولیه بوده و آنرا خنثی می کند چنانچه مدار ثانویه ترانس جریان در حالی که ترانس در معرض جریان اولیه است باز شود . خطوط قوای مربوط به ثانویه صفر شده و در هسته فقط خطوط قوای مربوط به اولیه باقی می ماند که این خطوط قوای هسته را گرم کرده و باعث سوختن ترانس جریان می شود . لذا همیشه اخطار می شود که ثانویه ترانس جریان که درمدار قرار گرفته باز نشود یا به مداری با مقاومت بیشتر از حد مجاز متصل نشود .

 پارامترهای اساسی در C.t ها

1- نقطه اشباع                      2ـ کلاس و دقت ترانس جریان 

3ـ نسبت تبدیل ترانس            4ـ ظرفیت ترانس جریان

1ـ نقطه اشباع ترانس : ترانسفورماتورهای جریان برایجدا کردن مدار دستگاههای سنجش و حفاظتی از شبکه فشار قوی بکار می رود و اصولاً طوری انتخاب می شوند که در شرایط عادی و اضطراری شبکه بتواند بخوبی کار کند و جریان ثانویه لازم را برای دستگاههای اندازه گیری و حفاظتی تأمین کند اما مسئله اصلی این است که درهنگام اتصال کوتاه چون جریان اولیه ترانسفورماتور زیاد است بالطبع جریان ثانویه نیز زیاد خواهد شد ولی باید ترانسفورماتور جریان طوری عمل کند تا این جریان زیاد نتواند ازدستگاههای اندازه گیری عبور کرده و دستگاه را بسوزاند علاوه بر آن که این جریان نباید سبب فرمان غلط به دستگاههای حفاظتی شده و یا اینکه مانع عمل آنها شود بعبارت دیگر باید ترانسفورماتورهای جریان طوری ساخته شود که در جریانهای زیاد اشباع شده و مانع شود جریان زیادی از دستگاههای اندازه گیری عبور کند ولی برای رله های حفاظتی وضعیت فرق نی کند و ترانسفورماتور جریانی مورد احتیاج است که درجریانهای زیاد اشباع شده و جریان زیاد را تا حد معینی اجازه دهد تا از رله های حفاظتی عبور نماید مشخصه مغناطیسی یا تحریک C.T بستگی به جنس هسته تعداد حلقه های سیم پیچی و سطح مقطع و طول هسته دارد برای یک نوع C.T و هسته های مختلف برای آن ، منحنی های مغناطیسی آنها مشخص شده است . مشاهده می شود که با درنظر گرفتن جنس هسته مقدار چگالی فلو با توجه به تغییرات نیروی تحریک تغییر نموده و منحنی مختلف حاصل می شود . تغییرات جریان ثانویه را با توجه به تغییرات جریان اولیه ملاحظه می کنیداگر جنس هسته ازنوع آهن نیکل دار انتخاب شود مطابق منحنی c برابر جریات حساس است و اگر از نوع a انتخاب شود تا ده برابر و برای b تا 15 برابر جریان ثانویه حساس و بعد از آن اشباع شده و اجازه نمی دهد نقطه kp که آنرا مقطه شروع اشباع knee point می گویند بازای افزایش 50% جریان تحریک ولتاژ تنها 15% افزایش می یابد . مشاهده می شود از نقطه kp به بعد نسبت تبدیل C.T معلوم نیست وجریان ثانویه تقریباً ثابت است تنها اندکی افزایش خواهد داشت. بنابراین نقطه kp در انتخاب ترانسفورماتور جریان پارامتر مهمی است وحتماً باید مد نظر باشد .

word: نوع فایل

سایز:22.0 KB 

 تعداد صفحه:35